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IX4R11S3集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IX4R11S3

参数属性

IX4R11S3 封装/外壳为16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

功能描述

4A Half-Bridge Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

封装外壳

16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

文件大小

616.14 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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更新时间

2025-11-15 11:25:00

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IX4R11S3规格书详情

IX4R11S3属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由艾赛斯制造生产的IX4R11S3栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

General Description

The IX4R11 Bridge Driver for N-channel MOSFETs and IGBTs with a high side and low side output, whose input signals reference the low side. The High Side driver can control a MOSFET or IGBT connected to a positive buss voltage up to 650V. The logic input stages are compatible with TTL or CMOS, have built-in hysteresis and are fully immune to latch up over the entire operating range. The IX4R11 can withstand dV/dt on the output side up to ± 50V/ns.

特性 Features

• Floating High Side Driver with boot-strap Power supply along with a Low Side Driver.

• Fully operational to 650V

• ± 50V/ns dV/dt immunity

• Gate drive power supply range: 10 - 35V

• Undervoltage lockout for both output drivers

• Separate Logic power supply range: 3.3V to VCL

• Built using the advantages and compatibility of CMOS and IXYS HDMOSTM processes

• Latch-Up protected over entire operating range

• High peak output current: 4A

• Matched propagation delay for both outputs

• Low output impedance

• Low power supply current

• Immune to negative voltage transients

Applications

• Driving MOSFETs and IGBTs in half-bridge circuits

• High voltage, high side and low side drivers

• Motor Controls

• Switch Mode Power Supplies (SMPS)

• DC to DC Converters

• Class D Switching Amplifiers

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IX4R11S3

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    6V,7V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4A,4A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    23ns,22ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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