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IX112T06M-AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	XPT IGBT Dies ·Easy paralleling due to the positive temperature coefficient of the on-state voltage\n·Rugged Trench XPT design (Xtreme light Punch Through) results in:\n - short circuit rated for 10 µsec. - very low gate charge - square RBSOA @ 2x Ic - low EMI - Tvjm = 175°C·Thin wafer technology combin;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IX112T06M-AG	文件：77.08 Kbytes Page：2 Pages	Trench XPT IGBT Chip 文件：77.08 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IX30G-A-10S-CVL2(7.0)(01)	文件：0 bytes Page：0 Pages	多用途	Hirose Electric Co Ltd 上传：中天科工半导体（深圳）有限公司	Hirose Electric Co Ltd
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更多IX112T06M-AG供应商更新时间2026-2-9 10:02:00