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LPC024CTP	文件：78.11 Kbytes Page：1 Pages	VERTICALCLIPLITE4MMLITEPIPE	VCC Visual Communications Company	VCC
LR024	文件：1.00444 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS •DC/DCConverters •DC/ACInverters •MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LR024N	文件：162.2 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：496.49 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
LR024N	文件：1.04325 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS •DC/DCConverters •DC/ACInverters •MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LR024N	文件：304.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：328.44 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-ResistanceFullyAvalancheRated Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：785.8 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
LU024	文件：960.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LU024N	文件：960.24 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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