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IV1D06006O2中文资料SiC SBD数据手册IVCT规格书

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厂商型号

IV1D06006O2

参数属性

IV1D06006O2 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:SIC DIODE, 650V 6A, TO-220-2

功能描述

SiC SBD

封装外壳

TO-220-2

制造商

IVCT InventChip Technology Co., Ltd.

中文名称

瞻芯

数据手册

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更新时间

2025-11-30 8:50:00

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技术参数

  • 产品编号:

    IV1D06006O2

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    17.4A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    212pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    TO-220-2

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    SIC DIODE, 650V 6A, TO-220-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瞻芯电子
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