5A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, 2.5V Specified Power MOSFET

Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.045Ω, VGS = −4.5V - rDS(ON) = 0.048Ω, VGS = −4.0V - rDS(ON) = 0.077Ω, VGS = −2.5V • 2.5V Gate Drive Capability • Gate to Source Protection Diode • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE™ and SABER Electrical Model

文件：226.5 Kbytes 页数：13 Pages

INTERSIL

5A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, 2.5V Specified Power MOSFET

Renesas

瑞萨

QFN

INVENSEN

上传：深圳市宇芯创电子科技有限公司

QFN

INVENSEN

上传：深圳市宇芯创电子科技有限公司

DIP-4

亿光

上传：深圳市英博尔电子有限公司