ITC1100中文资料1100 W, 50 V, 1030 MHz common base transistor数据手册GHz Technology规格书
技术参数
- 产品编号：
ITC1100
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
1.03GHz
- 增益：
10dB ~ 10.5dB
- 功率 - 最大值：
3400W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55SW
- 供应商器件封装：
55SW
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CPCLARE |
2016+ |
SOP16 |
3939 |
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询价 | ||
CPClare |
23+ |
SOP-16P |
6500 |
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CLARE |
25+ |
DIPSOP |
65248 |
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CLR |
25+ |
DIP-14/瓷封 |
18000 |
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CLARE |
97+ |
SOP16P |
7 |
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CPCIARE |
23+ |
SMD |
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GHZ |
23+ |
TO-59 |
8510 |
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询价 | ||
CPCLARE |
24+ |
40000 |
询价 | ||||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
DIPSOP |
19727 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
Microse下单 |
NA |
5500 |
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询价 |
