ITC1100分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ITC1100 |
| 参数属性 | ITC1100 封装/外壳为55SW；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW |
| 功能描述 | Common base bipolar transistor 1000 WATT, 50V, Pulsed |
| 封装外壳 | 55SW |
| 文件大小 |
133.82 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | GHz Technology |
| 企业简称 |
GHZTECH |
| 中文名称 | GHz Technology官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-5 8:31:00 |
| 人工找货 | ITC1100价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ITC1100规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
The ITC1100 is a common base bipolar transistor. It is designed for pulsed interrogator systems in the frequency band of 1030 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven high MTTF. The transistor includes input returns for improved output rise time . Low thermal resistance package reduces junction temperature which extends the life time of the product.
产品属性
- 产品编号：
ITC1100
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
1.03GHz
- 增益：
10dB ~ 10.5dB
- 功率 - 最大值：
3400W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55SW
- 供应商器件封装：
55SW
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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