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ISZ106N12LM6中文资料OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 逻辑电平 120 V,采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

ISZ106N12LM6

功能描述

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 逻辑电平 120 V,采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:11:00

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ISZ106N12LM6规格书详情

特性 Features


优势:
• Very low on-resistance
• Very low reverse recovery charge
• Excellent gate charge x RDS(on)
• High avalanche energy rating
• 175°C junction temperature rating
• Pb-free plating
• RoHS compliant
• Halogen-free
• MSL1 classified

应用 Application

• Power and Gardening Tools
• Adapters and Fast Chargers
• Solar
• Telecom 
• Light electric vehicles 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
n/a
25836
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