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ISPLSI5512VE-100LB272	文件：275.92 Kbytes Page：25 Pages	In-System Programmable 3.3V SuperWIDE™ High Density PLD Features •SecondGenerationSuperWIDEHIGHDENSITY IN-SYSTEMPROGRAMMABLELOGICDEVICE —3.3VPowerSupply —UserSelectable3.3V/2.5VI/O —24000PLDGates/512Macrocells —Upto256I/OPins —512Registers —High-SpeedGlobalInterconnect —SuperWIDEGenericLogicBlock(32Macrocel	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
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ISPLSI5512VE-100LB272

文件：275.92 Kbytes

Page：25 Pages

In-System Programmable 3.3V SuperWIDE™ High Density PLD

Features •SecondGenerationSuperWIDEHIGHDENSITY IN-SYSTEMPROGRAMMABLELOGICDEVICE —3.3VPowerSupply —UserSelectable3.3V/2.5VI/O —24000PLDGates/512Macrocells —Upto256I/OPins —512Registers —High-SpeedGlobalInterconnect —SuperWIDEGenericLogicBlock(32Macrocel

LatticeLattice Semiconductor Corporation

莱迪思半导体

Lattice

ISPLSI5512VE-100LB272I

文件：275.92 Kbytes

Page：25 Pages

In-System Programmable 3.3V SuperWIDE™ High Density PLD

LatticeLattice Semiconductor Corporation

莱迪思半导体

Lattice

详细参数

型号：
ISPLSI5512VE-100LB272
功能描述：
CPLD - 复杂可编程逻辑器件
RoHS：
否
制造商：
Lattice
存储类型：
EEPROM
大电池数量：
128
最大工作频率：
333 MHz
延迟时间：
2.7 ns
可编程输入/输出端数量：
64
工作电源电压：
3.3 V
最大工作温度：
+ 90 C
最小工作温度：
0 C
封装/箱体：
TQFP-100

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