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ISP26DP06NMS分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

ISP26DP06NMS
厂商型号

ISP26DP06NMS

参数属性

ISP26DP06NMS 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET P-CH 60V SOT223

功能描述

OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V
MOSFET P-CH 60V SOT223

丝印标识

26DP06NS

封装外壳

PG-SOT223-3 / TO-261-4,TO-261AA

文件大小

643.53 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 23:34:00

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ISP26DP06NMS规格书详情

ISP26DP06NMS属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的ISP26DP06NMS晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    ISP26DP06NMSATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    P 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    1.9A(Ta)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT223

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 描述:

    MOSFET P-CH 60V SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
24+
PG-SOT-223-3
25000
原装正品,假一赔十!
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Infineon
23+
PG-SOT223-3
15500
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Infineon/英飞凌
21+
PG-SOT-223-3
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只做原装,质量保证
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INFINEON/英飞凌
24+
SOT-223-3
7800
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Infineon(英飞凌)
24+
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Infineon(英飞凌)
2447
PG-SOT-223-3
115000
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Infineon/英飞凌
2022+
PG-SOT-223-3
48000
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Infineon Technologies
2022+
TO-261-3
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INFINEON
23+
PG-SOT223-3
7000
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Infineon Technologies
25+
30000
原装现货,支持实单
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