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ISP13DP06NMS中文资料常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性数据手册Infineon规格书

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厂商型号

ISP13DP06NMS

参数属性

ISP13DP06NMS 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET P-CH 60V SOT223

功能描述

常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET,降低中低功率应用的设计复杂性
MOSFET P-CH 60V SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-18 12:01:00

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ISP13DP06NMS规格书详情

特性 Features

• VDS= -60V
• Very low on-resistance RDS(on)
• 100% avalance tested
• Normal level
• Qualified according to JEDEC standard

优势:
• Easy interface to MCU
• Fast switching
• Avalanche ruggedness

应用 Application

• Battery
• Consumer
• LV-Drives
• Power tools

简介

ISP13DP06NMS属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由Infineon制造生产的ISP13DP06NMS晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ISP13DP06NMS

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :ISP13DP06NMSATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-SOT223-3

  • VDS max

    :-60 V

  • RDS (on) @10V max

    :125 mΩ

  • ID @25°C max

    :-2.8 A

  • QG typ @10V

    :-20.2 nC

  • Special Features

    :Small Power

  • Polarity

    :P

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :-2.1 V

  • VGS(th) max

    :-4 V

  • Technology

    :OptiMOS™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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