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ISL9N316AD3ST中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

ISL9N316AD3ST

功能描述

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

文件大小

187.25 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

Fairchild

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-3 23:10:00

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ISL9N316AD3ST规格书详情

General Description

This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.

Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.

特性 Features

• Fast switching

• rDS(ON) = 0.014Ω (Typ), VGS = 10V

• rDS(ON) = 0.020Ω (Typ), VGS = 4.5V

• Qg (Typ) = 13nC, VGS = 5V

• Qgd (Typ) = 4.5nC

• CISS (Typ) = 1450pF

Applications

• DC/DC converters

产品属性

  • 型号:

    ISL9N316AD3ST

  • 功能描述:

    MOSFET TO-252

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAI
2023+
TO-252
50000
原装现货
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