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9014	文件：27.43 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR FEATURES Powerdissipation PCM:0.4W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:50V	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS
9014	文件：698.38 Kbytes Page：1 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TO-92Plastic-EncapsulateTransistors NPNsilicon	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司	DAYA
9014	文件：103.59 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandAFamplifierapplications. Thetransistorissubdividedintofourgroups,A,B,C andD,accordingtoitsDCcurrentgain.As complementarytypethePNPtransistorST9015is recommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
ISL9014IRJRZ	文件：220.46 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQ,andHighPSRR	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL9014IRJRZ	文件：217.83 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL9014IRJRZ	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
ISL9014IRJNZ-T
功能描述：
IC REG LDO 2.8V/3.3V .3A 10-DFN
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - 线性
系列：
-
标准包装：
2,000
稳压器拓扑结构：
正，可调式
输出电压：
1.2 V ~ 5 V
输入电压：
2.5 V ~ 7 V 电压 -
压降（标准）：
0.24V @ 800mA
稳压器数量：
1 电流 -
输出：
800mA 电流 -
限制（最小）：
1.2A
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-261-5，TO-261AB
供应商设备封装：
SOT-223-5
包装：
带卷(TR)
其它名称：
*LP3964EMPX-ADJLP3964EMPX-ADJLP3964EMPX-ADJ-NDLP3964EMPX-ADJ/NOPBTR

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