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ISL89412IBZ-T13	文件：225.37 Kbytes Page：10 Pages	High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers The ISL89410, ISL89411, ISL89412 ICs are similar to the EL7202, EL7212, EL7222 series but with greater VDD ratings. These are very high speed matched dual drivers capable of delivering peak currents of 2.0A into highly capacitive loads. The high speed performance is achieved by means of a pro 文件：225.37 Kbytes 页数：10 Pages	Intersil	Intersil
ISL89412IBZ-T13	文件：568.9 Kbytes Page：10 Pages	丝印：89412IBZ；Package：8LdSOIC；High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers 文件：568.9 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL89412IBZ-T13	文件：228.15 Kbytes Page：10 Pages	High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers 文件：228.15 Kbytes 页数：10 Pages	Intersil	Intersil
ISL89412IBZ-T13	文件：227.63 Kbytes Page：10 Pages	High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers 文件：227.63 Kbytes 页数：10 Pages	Intersil	Intersil
ISL89412IBZ-T13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
ISL89412IBZ-T13
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
7.5ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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