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ISL89165FRTBZ-T集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ISL89165FRTBZ-T |
| 参数属性 | ISL89165FRTBZ-T 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFN |
| 功能描述 | High Speed, Dual Channel, 6A, Power MOSFET Driver with Enable Inputs |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TDFN / 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
464.3 Kbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-10 18:00:00 |
| 人工找货 | ISL89165FRTBZ-T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ISL89165FRTBZ-T规格书详情
• Dual output, 6A peak currents, can be paralleled
• Dual AND-ed input logic, (input and enable)
• Typical ON-resistance <1Ω
• Specified Miller plateau drive currents
• Very low thermal impedance (θJC = 3°C/W)
• Hysteretic Input logic levels for 3.3V CMOS, 5V
CMOS, TTL, and Logic levels proportional to VDD
• Precision threshold inputs for time delays with
external RC components
• 20ns rise and fall time driving a 10nF load.
产品属性
- 产品编号：
ISL89165FRTBZ-T
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 16V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
1.85V，3.15V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
6A，6A
- 输入类型：
反相，非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-TDFN（3x3）
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesa |
25+ |
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