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NGB8202AN	文件：274.98 Kbytes Page：8 Pages	Gate?묮mitterESDProtection Description ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver−Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvoltageandhighcurrent	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NGB8202AN	文件：124.89 Kbytes Page：8 Pages	IgnitionIGBT20A,400V,N.ChannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8202N	文件：114.36 Kbytes Page：8 Pages	20A,400V,N-ChannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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P8202	文件：82.54 Kbytes Page：1 Pages	SMTCURRENTSENSETRANSFORMERS	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

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产品属性

产品编号：
ISL8202MIRZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
包装：
管件
类型：
非隔离 PoL 模块
电压 - 输入（最小值）：
2.6V
电压 - 输入（最大值）：
5.5V
电压 - 输出 1：
0.6 ~ 5.2V
电流 - 输出（最大值）：
3A
应用：
ITE（商业）
特性：
OCP，OTP，OVP，SCP，UVLO
工作温度：
-40°C ~ 85°C
效率：
95%
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
22-PowerFQFN 模块
大小 / 尺寸：
0.30" 长 x 0.18" 宽 x 0.
描述：
DC DC CONVERTER 0.6-5.2V

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