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ISL81100FRTZ-T	文件：1.88634 Mbytes Page：36 Pages	100V Synchronous Buck Controller ▪Wideinputvoltagerange:4.5Vto100V ▪Wideoutputvoltagerange:0.8Vto96V ▪TwoMOSFETdriverswithadaptiveshoot-through protection ▪Constantoutputvoltageandoutputcurrent feedbackloopcontrol ▪Light-loadefficiencyenhancement •Lowripplediodeemulationmodeoperation ▪	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
K81100	文件：160.61 Kbytes Page：3 Pages	Lock-offHasps Features Kasp200Series Health&Safetyregulationsdemandthatindustrialplantandmachinerypowerunitsareisolatedwhilstmaintenanceworkiscarriedout.Kasp200serieslockoffhaspscombinedwithKasp124seriesbrasspadlocksofferanidealsolution,allowingupto6workerstolocko	CARLCarl Kammerling International Limited 卡尔卡尔·卡默林国际有限公司	CARL
MA81100H	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MA81100L	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MA81100M	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MLX81100	文件：400.11 Kbytes Page：15 Pages	LINSlaveforFETControl	MelexisMelexis Microelectronic Systems 迈来芯	Melexis
SBRS81100N	文件：168.37 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyPowerRectifierSurfaceMountPowerPackage SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrier principleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-art geometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationand metaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequency rectification,or	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
STW81100	文件：1.00424 Mbytes Page：29 Pages	MULTI-BANDRFFREQUENCYSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDVCOs	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW81100	文件：915.27 Kbytes Page：23 Pages	MULTI-BANDRFFREQUENCYSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDVCOS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW81100AT	文件：915.27 Kbytes Page：23 Pages	MULTI-BANDRFFREQUENCYSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDVCOS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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