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ISL7X024SEH	文件：521.659 Kbytes Page：13 Pages	40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors Features •VerylowrDS(ON)3.5mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge19nC(typical) •ISL70020SEHradiationacceptancetesting ○Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) ○Lowdoserate(0.01rad(Si)/s):75krad(Si) •ISL73020SEHradiationacceptancetesting ○Lowdoserate(0.01rad	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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ISL7X024SEH

文件：521.659 Kbytes

Page：13 Pages

40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

Features •VerylowrDS(ON)3.5mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge19nC(typical) •ISL70020SEHradiationacceptancetesting ○Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) ○Lowdoserate(0.01rad(Si)/s):75krad(Si) •ISL73020SEHradiationacceptancetesting ○Lowdoserate(0.01rad

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ISL7X024SEH

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200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor

Features •VerylowrDS(ON)45mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge2.5nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=160V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70024SEHradiationacceptance(seeTIDreport) •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lo

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更多ISL7X024SEH供应商更新时间2025-5-23 10:19:00

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