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ISL73847MDEMO1Z	文件：2.42734 Mbytes Page：44 Pages	Radiation Tolerant 12V Half-Bridge GaN FET Driver Features ▪QualifiedtoRenesasRadTolerantScreeningand QCIFlow(R34TB0004EU) ▪Upto20Vbootstrapvoltagehalf-bridgedriver ▪Programmable4.5Vto5.5Vgatedrivevoltage ▪Singletri-levelPWMinputcontrol ▪Separatesourceandsinkdriveroutputs ▪High-sidepeakdrive:2ASourcin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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Radiation Tolerant 12V Half-Bridge GaN FET Driver

Features ▪QualifiedtoRenesasRadTolerantScreeningand QCIFlow(R34TB0004EU) ▪Upto20Vbootstrapvoltagehalf-bridgedriver ▪Programmable4.5Vto5.5Vgatedrivevoltage ▪Singletri-levelPWMinputcontrol ▪Separatesourceandsinkdriveroutputs ▪High-sidepeakdrive:2ASourcin

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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Radiation Tolerant Single/Dual-Phase Current Mode PWM Controller

Features ▪QualifiedtoRenesasRadTolerantScreeningand QCIFlow(R34TB0004EU) ▪Wideoperatingvoltagerange: •Input:4.5Vto19V •Output:0.6Vto VPWR_STAGE×((TSW-120ns)/TSW) ▪ProgrammablePWMoutputswitchingfrequency •250kHzto1.5MHz ▪OptionalDroopregulation ▪Currentmod

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