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ISL73128RHXSLASHSAMPLE规格书详情
特性 Features
• Electrically screened to SMD # 5962-07218
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• Radiation tolerance
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 100krad(Si)
- Low dose rate (0.01rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . 50krad(Si)*
- SEL immune . . . . . . . . . . Bonded wafer dielectric isolation
• NPN gain bandwidth product (FT) . . . . . . . . . . . . . .8GHz (typ)
• NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 (typ)
• NPN early voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V (typ)
• PNP gain bandwidth product (FT). . . . . . . . . . . . . 5.5GHz (typ)
• PNP current gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 (typ)
• PNP early voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V (typ)
• Noise figure (50) at 1GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB (typ)
• Collector-to-collector leakage . . . . . . . . . . . . . . . . . . <1pA (typ)
• Complete isolation between transistors
* Limit established by characterization.
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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