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ISL73024SEHLSLASHPROTO中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

ISL73024SEHLSLASHPROTO

功能描述

200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor

文件大小

512.87 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 17:31:00

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ISL73024SEHLSLASHPROTO规格书详情

特性 Features

• Very low rDS(ON) 45mΩ (typical)

• Ultra low total gate charge 2.5nC (typical)

• SEE hardness (see SEE report for details)

• SEL/SEB LETTH (VDS = 160V, VGS = 0V):

86MeV•cm2/mg

• ISL70024SEH radiation acceptance (see TID report)

• High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si)

• Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

• ISL73024SEH radiation acceptance (see TID report)

• Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si)

• Ultra small hermetically sealed 4 Ld Surface Mount

Device (SMD) package

• Package area: 42mm2

• Full military-temperature range operation

• TA = -55°C to +125°C

• TJ = -55°C to +150°C

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