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ISL71043MEVAL1Z	文件：564.94 Kbytes Page：13 Pages	100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor Features •VerylowrDS(ON)5mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge14nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=100V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70023SEHradiationacceptingtesting •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lowdoserate	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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ISL71043MEVAL1Z

文件：564.94 Kbytes

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100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

Features •VerylowrDS(ON)5mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge14nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=100V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70023SEHradiationacceptingtesting •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lowdoserate

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ISL71043MEVAL1Z

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Radiation Tolerant Low-Side GaN FET Driver

Features •Wideoperatingvoltagerangeof4.5Vto13.2V •Upto14.7Vlogicinputs(regardlessofVDD level) ○Invertingandnon-invertinginputs •OptimizedtodriveenhancementmodeGaN FETs ○Internal4.5Vregulatedgatedrivevoltage ○Independentoutputsforadjustable turn-on/turn-

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更多ISL71043MEVAL1Z供应商更新时间2024-5-23 15:30:00

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