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ISL70040SEHEV3Z	文件：512.87 Kbytes Page：13 Pages	200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor Features •VerylowrDS(ON)45mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge2.5nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=160V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70024SEHradiationacceptance(seeTIDreport) •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lo	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL70040SEHEV3Z	文件：1.11304 Mbytes Page：20 Pages	Radiation Hardened Low-Side GaN FET Driver Features •Wideoperatingvoltagerangeof4.5Vto13.2V •Upto14.7Vlogicinputs(regardlessofVDDlevel) •Invertingandnon-invertinginputs •OptimizedtodriveenhancementmodeGaNFETs •Internal4.5Vregulatedgatedrivevoltage •Independentoutputsforadjustable turn-on/turn-of	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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ISL70040SEHEV3Z

文件：512.87 Kbytes

Page：13 Pages

200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor

Features •VerylowrDS(ON)45mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge2.5nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=160V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70024SEHradiationacceptance(seeTIDreport) •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lo

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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ISL70040SEHEV3Z

文件：1.11304 Mbytes

Page：20 Pages

Radiation Hardened Low-Side GaN FET Driver

Features •Wideoperatingvoltagerangeof4.5Vto13.2V •Upto14.7Vlogicinputs(regardlessofVDDlevel) •Invertingandnon-invertinginputs •OptimizedtodriveenhancementmodeGaNFETs •Internal4.5Vregulatedgatedrivevoltage •Independentoutputsforadjustable turn-on/turn-of

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更多ISL70040SEHEV3Z供应商更新时间2024-6-4 19:05:00

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