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ISL6622IRZ-T

Package:10-VFDFN 裸露焊盘;包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

LMH6622

DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMH6622

LMH6622DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMH6622MA

LMH6622DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMH6622MA

DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMH6622MA/NOPB

LMH6622DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMH6622MASLASHNOPB

LMH6622DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMH6622MAX

DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMH6622MAX/NOPB

LMH6622DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LMH6622MAXSLASHNOPB

LMH6622DualWideband,LowNoise,160MHz,OperationalAmplifiers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

产品属性

  • 产品编号:

    ISL6622IRZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    6.8V ~ 13.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.25A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    26ns,18ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    10-DFN(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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