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MCH6615	文件：44.92 Kbytes Page：6 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelandP-ChannelSiliconMOSFETs Features •TheMCH6615incorporatestwoelementsinthesame packagewhichareN-channelandP-channellow ONresistanceandhigh-speedswitchingMOSFETs, therebyenablinghigh-densitymounting. •LowON-resistance. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
RLT6615G	文件：50.55 Kbytes Page：1 Pages	HighPowerVisibleWavelengthLaserdiode	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
T6615	文件：80.87 Kbytes Page：4 Pages	AnaffordablegassensingsolutionforOEMs	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
T6615	文件：99.16 Kbytes Page：4 Pages	CompactCO2ModuleDesignedtoIntegrateIntoExistingControlsandEquipment	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
T6615-F	文件：80.87 Kbytes Page：4 Pages	AnaffordablegassensingsolutionforOEMs	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
TB6615PG	文件：451.69 Kbytes Page：13 Pages	STEPPINGMOTORCONTROLLER/DRIVER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
ISL6615CRZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
6.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2.5A，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
13ns，10ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-DFN（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

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