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STR-F6614

SMPSPRIMARYIC

SankenSanken electric

三垦三垦电气株式会社

STR-F6614

SMPSPRIMARYIC

TheSeriesSTR-F6600isspecificallydesignedtosatisfytherequirementsforincreasedintegrationandreliabilityinoff-linequasi-resonantflybackconverters.Theseriesincorporatesaprimarycontrolanddrivecircuitwithdiscreteavalanche-ratedpowerMOSFETs. Coveringthepowerrangefrom

SankenSanken electric

三垦三垦电气株式会社

TB6614FNG

DriverICforDCmotor

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TFBS6614

LowProfile4Mbit/s(FIR)InfraredTransceiverModulewithindependentLogicSupplyVoltage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

VS6614AD

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    ISL6614IRZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10.8V ~ 13.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.25A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    26ns,18ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

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更多ISL6614IRZ-T供应商 更新时间2025-5-7 17:05:00