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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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Intersil14SOIC

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京海半导体(深圳)有限公司

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深圳市宇创芯科技有限公司

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深圳市信科微科技有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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天津市博通航睿技术有限公司

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INTERSILSOP14

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ISL6614CBZ功能描述:IC DRIVER MOSF DUAL SYNC 14SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

ISL6614CBZA功能描述:IC DRIVER DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

ISL6614CBZA-T功能描述:IC DRIVER DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

ISL6614CBZR5214功能描述:IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

ISL6614CBZR5238功能描述:IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

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ISL6614CBZ-TR5214功能描述:IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

ISL6614CBZ-TR5238功能描述:IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

产品属性

  • 产品编号：

    ISL6614CBZ

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别：

    集成电路（IC） > 栅极驱动器

  • 包装：

    管件

  • 驱动配置：

    半桥

  • 通道类型：

    同步

  • 栅极类型：

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电：

    10.8V ~ 13.2V

  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：

    1.25A，2A

  • 输入类型：

    非反相

  • 上升/下降时间（典型值）：

    26ns，18ns

  • 工作温度：

    0°C ~ 125°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 供应商器件封装：

    14-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

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