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LU6612	文件：528.55 Kbytes Page：36 Pages	LU6612FASTCATTMSingle-FETfor10Base-T/100Base-TX Description TheLU6612isasingle-channel,single-chipcompletetransceiverdesignedspecificallyfordual-speed10Base-Tand100Base-TXrepeatersandswitches. LU6612implements: ■The10Base-TtransceiverfunctionofIEEE802.3u. ■Thephysicalcodingsublayer(PCS)ofIEEE802.3u. ■Thep	agere Agere Systems	agere
MAX6612	文件：124.55 Kbytes Page：5 Pages	High-Slope,Low-Power,AnalogTemperatureSensorinanSC70Package	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6612MXK-T	文件：124.55 Kbytes Page：5 Pages	High-Slope,Low-Power,AnalogTemperatureSensorinanSC70Package	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH6612	文件：30.12 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •4Vdrive. •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasingle package,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NAS6612	文件：58.47 Kbytes Page：2 Pages	BOLT,HEXHEAD,CLOSETOLERANCE,ALLOYSTEELSHORTTHREAD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
NAS6612	文件：419.27 Kbytes Page：6 Pages	NATIONALAEROSPACESTANDARD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
S6612	文件：139.7 Kbytes Page：1 Pages	SunStrap	HeycoHeyco. 海科	Heyco
S6612F	文件：74.12 Kbytes Page：3 Pages	HIGH-SPEEDTHYRISTORSILICONDIFFUSEDTYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S6612G	文件：74.12 Kbytes Page：3 Pages	HIGH-SPEEDTHYRISTORSILICONDIFFUSEDTYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SG6612WN	文件：1.70867 Mbytes Page：5 Pages	650V50AInsulatedGateBipolarTransistor lFeatures 1)TrenchLightPunchThroughType 2)LowCollector-EmitterSaturationVoltage 3)LowSwitchingLoss 4)ShortCircuitWithstandTime5μs lApplication GeneralInverter UPS PowerConditioner Welding	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

产品属性

产品编号：
ISL6612IBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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