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ISL6612ECBZ-T集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

ISL6612ECBZ-T

参数属性

ISL6612ECBZ-T 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Protection Features

丝印标识

6612ECBZ

封装外壳

8LdEPSOIC / 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

文件大小

601.58 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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更新时间

2025-12-21 23:01:00

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产品属性

  • 产品编号:

    ISL6612ECBZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10.8V ~ 13.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.25A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    26ns,18ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC-EP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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