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NAS6612	文件：58.47 Kbytes Page：2 Pages	BOLT,HEXHEAD,CLOSETOLERANCE,ALLOYSTEELSHORTTHREAD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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S6612	文件：139.7 Kbytes Page：1 Pages	SunStrap	HeycoHeyco. 海科	Heyco
S6612F	文件：74.12 Kbytes Page：3 Pages	HIGH-SPEEDTHYRISTORSILICONDIFFUSEDTYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S6612G	文件：74.12 Kbytes Page：3 Pages	HIGH-SPEEDTHYRISTORSILICONDIFFUSEDTYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SG6612WN	文件：1.70867 Mbytes Page：5 Pages	650V50AInsulatedGateBipolarTransistor lFeatures 1)TrenchLightPunchThroughType 2)LowCollector-EmitterSaturationVoltage 3)LowSwitchingLoss 4)ShortCircuitWithstandTime5μs lApplication GeneralInverter UPS PowerConditioner Welding	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SS6612	文件：618.58 Kbytes Page：16 Pages	High-EfficiencySynchronousStep-upDC/DCConverterwithSelectableCurrentLimit DESCRIPTION TheSS6612isahigh-efficiencystep-upDC/DCconverter,withastart-upvoltageaslowas0.8V,andanoperatingvoltagedownto0.7V.Consumingonly20µAofquiescentcurrent,thisdeviceincludesabuilt-insynchronousrectifierthatreducessizeandcostbyeliminatingtheneed	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
SS6612COTR	文件：618.58 Kbytes Page：16 Pages	High-EfficiencySynchronousStep-upDC/DCConverterwithSelectableCurrentLimit DESCRIPTION TheSS6612isahigh-efficiencystep-upDC/DCconverter,withastart-upvoltageaslowas0.8V,andanoperatingvoltagedownto0.7V.Consumingonly20µAofquiescentcurrent,thisdeviceincludesabuilt-insynchronousrectifierthatreducessizeandcostbyeliminatingtheneed	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
SSG6612N	文件：1.75797 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SSG6612N	文件：573.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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产品属性

产品编号：
ISL6612ECB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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