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ISL6610CBZ集成电路(IC)栅极驱动器规格书PDF中文资料

ISL6610CBZ
厂商型号

ISL6610CBZ

参数属性

ISL6610CBZ 封装/外壳为14-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

功能描述

Dual Synchronous Rectified MOSFET Drivers
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

文件大小

281.25 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 22:30:00

ISL6610CBZ规格书详情

Features

• 5V Quad N-Channel MOSFET Drives for Two

Synchronous Rectified Bridges

• Pin-to-pin Compatible with ISL6614 (12V Drive)

• Adaptive Shoot-Through Protection

• 0.4Ω On-Resistance and 4A Sink Current Capability

• Supports High Switching Frequency

- Fast Output Rise and Fall

- Low Tri-State Hold-Off Time

• BOOT Capacitor Overcharge Prevention (ISL6610A)

• Low VF Internal Bootstrap Diode

• Power-On Reset

• QFN Package

- Compliant to JEDEC PUB95 MO-220 QFN-Quad Flat

No Leads-Product Outline

- Near Chip-Scale Package Footprint; Improves PCB

Utilization, Thinner Profile

• Pb-Free Plus Anneal Available (RoHS Compliant)

Related Literature

• Technical Brief TB389 “PCB Land Pattern Design and

Surface Mount Guidelines for QFN (MLFP) Packages”

• Technical Brief TB363 “Guidelines for Handling and

Processing Moisture Sensitive Surface Mount Devices

(SMDs)”

ISL6610CBZ属于集成电路(IC) > 栅极驱动器。瑞萨科技有限公司制造生产的ISL6610CBZ栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

  • 产品编号:

    ISL6610CBZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    -,4A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    8ns,8ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    14-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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