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LPO6610	文件：212.39 Kbytes Page：2 Pages	SMTPowerInductors	COILCRAFTCoilcraft lnc. 线艺美国线艺公司	COILCRAFT
LT6610	文件：88.4 Kbytes Page：3 Pages	SolidStateLamp(LEDLampCluster) ■GeneralDescription Sharpcansupply5modelsofsolidstatelampswhicharedevidedinto2types;ø26mmseriesandø52mmseries.Theradiationcolorisdichromaticemissiontype;red(super-luminosity)andyellow-green.TheyaresuitedforLEDinformationdisplaysforoutdoorusebecauseth	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
LTD-6610E	文件：125.7 Kbytes Page：5 Pages	0.56inch(14.22mm)DIGITHEIGHT.	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
MAN6610	文件：551.25 Kbytes Page：6 Pages	0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MAN6610	文件：527.76 Kbytes Page：5 Pages	0.560-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Optoelectronics	QT
MAX6610	文件：138.2 Kbytes Page：6 Pages	Precision,Low-Power,6-PinSOT23TemperatureSensorsandVoltageReferences	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6610AUT-T	文件：138.2 Kbytes Page：6 Pages	Precision,Low-Power,6-PinSOT23TemperatureSensorsandVoltageReferences	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH6610	文件：30.31 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdrive. •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasingle package,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MPQ6610	文件：1.14078 Mbytes Page：16 Pages	55V,3A,Half-BridgePowerDriver,AEC-Q100Qualified DESCRIPTION TheMPQ6610isahalf-bridgedriverwith currentmeasurementandregulationfeatures.It canoperatefroma4Vto55Vsupplyvoltage, andcandeliverupto3Aofoutputcurrent (dependingonthepackage,PCBdesign,and ambienttemperature).TheMPQ6610canbe usedtodrivebrus	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MS6610	文件：162.86 Kbytes Page：6 Pages	StereoAudioDAC	MOSAMOSA ELECTRONICS 茂昇电子茂昇电子股份有限公司	MOSA

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产品属性

产品编号：
ISL6610CBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
-，4A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
8ns，8ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
14-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

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