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ISL6608IBZ-T集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ISL6608IBZ-T |
| 参数属性 | ISL6608IBZ-T 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
611.92 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-27 18:25:00 |
| 人工找货 | ISL6608IBZ-T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
ISL6608IBZ-T
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
同步
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
8ns，8ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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