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ISL6605CB-T	文件：302.76 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous Rectified MOSFET Driver SynchronousRectifiedMOSFETDriver TheISL6605isahighfrequency,MOSFETdriveroptimizedtodrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThisdrivercombinedwithanIntersilHIP63xxorISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformsacompletesingle-st	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL6605CB-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
6605	文件：190.9 Kbytes Page：3 Pages	DCTO18,26.5GHz,COAXIAL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
6605	文件：130.28 Kbytes Page：3 Pages	PHASESHIFTERDCTO18,26.5GHZ,COAXIAL FEATURES •TypeSMAConnectorsStandard •OptionsfromDCto18GHz •HighPerformance,TroughlineStyleStructure •MilitaryGradeMaterialsandProcessing •-40to+125ºCOperatingTemperatureRange	FILTRONICFiltronic Compound Semiconductors Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
A6605	文件：364.2 Kbytes Page：5 Pages	ACFilmCapacitorsLighting Features ■Self-healingproperties ■Lowdissipationfactor ■Highinsulationresisitance Construction ■Dielectric:polypropylenefilm ■Aluminiumcan ■Softpolyurethanresin ■Internaldischageresistor ■Overpressuredisconnector Typicalapplications Forgeneralsinewaveapplicat	EPCOSEPCOS - TDK Electronics 爱普科斯爱普科斯与TDK元件事业部	EPCOS
AN6605	文件：703.59 Kbytes Page：5 Pages	NoiseofSources	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
AN-6605	文件：703.59 Kbytes Page：5 Pages	NoiseofSources	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
AO6605	文件：186.58 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6605usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications. StandardProductAO6605isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6605L	文件：186.58 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6605usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications. StandardProductAO6605isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ6605	文件：650.79 Kbytes Page：16 Pages	EZBuckTM5ASynchronousBuckRegulator	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOZ6605PI	文件：650.79 Kbytes Page：16 Pages	EZBuckTM5ASynchronousBuckRegulator	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AWU6605	文件：568.46 Kbytes Page：13 Pages	HELP3TMBand5/WCDMA3.4V/28.5dBmLinearPAModule	ANADIGICS ANADIGICS	ANADIGICS
AZRS6605	文件：574.64 Kbytes Page：8 Pages	ESD-Protected,HighSpeedTrueFail-SafeRS485TransceiverIC Features IntegratedTransientVoltageSuppressor (TVS)intheTransceiverIC TVSProtectionforBusTerminals: ±9kVIEC61000-4-2,ContactDischarge ±10kVIEC61000-4-2,Air-GapDischarge HBM±4kVESDProtectionforallpins MM±400VESDProtectionforallpins Latchupimmuni	AMAZINGAmazing Tech Co., Ltd 美新科技美新科技(香港)有限公司	AMAZING
AZRS6605.RDG	文件：574.64 Kbytes Page：8 Pages	ESD-Protected,HighSpeedTrueFail-SafeRS485TransceiverIC Features IntegratedTransientVoltageSuppressor (TVS)intheTransceiverIC TVSProtectionforBusTerminals: ±9kVIEC61000-4-2,ContactDischarge ±10kVIEC61000-4-2,Air-GapDischarge HBM±4kVESDProtectionforallpins MM±400VESDProtectionforallpins Latchupimmuni	AMAZINGAmazing Tech Co., Ltd 美新科技美新科技(香港)有限公司	AMAZING
BX6605	文件：72.79 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
CPH6605	文件：54.47 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelandP-ChannelSiliconMOSFETs	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EFC6605R	文件：345.11 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EFC6605R-TR	文件：345.11 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EM6605	文件：98.16 Kbytes Page：43 Pages	4bitMicrocontroller	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
EM6605	文件：662.68 Kbytes Page：43 Pages	LowPowerMicrocontrollerwith300kHzRCOscillator	EMMICRO EM Microelectronic - MARIN SA	EMMICRO

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产品属性

产品编号：
ISL6605CB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
8ns，8ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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更多ISL6605CB-T供应商更新时间2024-4-30 14:34:00

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