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LMH6504MAX	文件：759.59 Kbytes Page：19 Pages	Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6504MAX/NOPB	文件：1.48059 Mbytes Page：29 Pages	LMH6504Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH6504MAXSLASHNOPB	文件：1.48059 Mbytes Page：29 Pages	LMH6504Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH6504MM	文件：759.59 Kbytes Page：19 Pages	Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6504MM/NOPB	文件：1.48059 Mbytes Page：29 Pages	LMH6504Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH6504MMSLASHNOPB	文件：1.48059 Mbytes Page：29 Pages	LMH6504Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH6504MMX	文件：759.59 Kbytes Page：19 Pages	Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6504MMX/NOPB	文件：1.48059 Mbytes Page：29 Pages	LMH6504Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH6504MMXSLASHNOPB	文件：1.48059 Mbytes Page：29 Pages	LMH6504Wideband,LowPower,VariableGainAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LX6504	文件：180.55 Kbytes Page：2 Pages	FullBridgeResonantCCFLController DESCRIPTION Microsemi’sLX6504isacostreduced,thirdgenerationCCFL(ColdCathodeFluorescentLamp)controller.TheintegratedcontrollerisoptimizedtodriveCCFLsusingresonantfullbridgeinverter topology.Resonantfullbridgetopologyprovidesnearsinusoidalwaveformsoverawide	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
ISL6504CBZ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 电源控制器，监视器
包装：
管件
应用：
电源控制器/监控器
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC PWR SUPPLY CTRLR/MONTR 16SOIC

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