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MTAN6414A-CHRG	文件：51.86 Kbytes Page：1 Pages	Marktech1.405x8Bi−ColorDotMatrix FEATURES ◾1.45x8bi-colordotmatrixdisplay ◾Greysurface/whiteepoxycolor	Marktech Marktech Corporate	Marktech
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NTD6414AN	文件：107.64 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD6414AN	文件：298.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NVD6414AN	文件：259.399 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NX6414EH	文件：173.16 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFORGIGABITETHERNETANDPointtoPointAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6414EHisa1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=14.0mW •Lowthresholdcurrentlth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.25W/A •Wideoperatingtemperat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6414EH	文件：173.92 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE	CEL California Eastern Labs	CEL
PJS6414	文件：308.79 Kbytes Page：6 Pages	20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
ISL6414IRZ-TK
功能描述：
低压差稳压器 - LDO VER OF ISL6414IR-TK
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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