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ISL2101AAR3Z-T集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

ISL2101AAR3Z-T

参数属性

ISL2101AAR3Z-T 封装/外壳为9-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN

功能描述

100V, 2A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers

封装外壳

9-VFDFN 裸露焊盘

文件大小

826.8 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 18:48:00

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ISL2101AAR3Z-T规格书详情

• Drives N-Channel MOSFET Half-Bridge

• Space-Saving DFN Package

• DFN Package Compliant with 100V Conductor Spacing

Guidelines per IPC-2221

• Pb-Free (RoHS compliant)

• Bootstrap Supply Max Voltage to 114VDC

• On-Chip 1Ω Bootstrap Diode

• Fast Propagation Times for Multi-MHz Circuits

• Drives 1nF Load with Typical Rise/Fall Times of 10ns

• CMOS Compatible Input Thresholds (ISL2100A)

• 3.3V/TTL Compatible Input Thresholds (ISL2101A)

• Independent Inputs Provide Flexibility

• No Start-Up Problems

• Outputs Unaffected by Supply Glitches, HS Ringing Below

Ground or HS Slewing at High dv/dt

• Low Power Consumption

• Wide Supply Voltage Range (9V to 14V)

• Supply Undervoltage Protection

• 2.5Ω Typical Output Pull-Up/Pull-Down Resistance

产品属性

  • 产品编号:

    ISL2101AAR3Z-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    9V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.4V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    10ns,10ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    9-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    9-DFN-EP(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN

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