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ISL2100AAR3Z-T集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
ISL2100AAR3Z-T |
参数属性 | ISL2100AAR3Z-T 封装/外壳为9-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN |
功能描述 | 100V, 2A Peak, High Frequency Half-Bridge Drivers |
封装外壳 | 9-VFDFN 裸露焊盘 |
文件大小 |
826.8 Kbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | RENESAS |
中文名称 | 瑞萨 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-5 23:00:00 |
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ISL2100AAR3Z-T规格书详情
• Drives N-Channel MOSFET Half-Bridge
• Space-Saving DFN Package
• DFN Package Compliant with 100V Conductor Spacing
Guidelines per IPC-2221
• Pb-Free (RoHS compliant)
• Bootstrap Supply Max Voltage to 114VDC
• On-Chip 1Ω Bootstrap Diode
• Fast Propagation Times for Multi-MHz Circuits
• Drives 1nF Load with Typical Rise/Fall Times of 10ns
• CMOS Compatible Input Thresholds (ISL2100A)
• 3.3V/TTL Compatible Input Thresholds (ISL2101A)
• Independent Inputs Provide Flexibility
• No Start-Up Problems
• Outputs Unaffected by Supply Glitches, HS Ringing Below
Ground or HS Slewing at High dv/dt
• Low Power Consumption
• Wide Supply Voltage Range (9V to 14V)
• Supply Undervoltage Protection
• 2.5Ω Typical Output Pull-Up/Pull-Down Resistance
产品属性
- 产品编号:
ISL2100AAR3Z-T
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
9V ~ 14V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
3.7V,7.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
2A,2A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
10ns,10ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
9-VFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
9-DFN-EP(3x3)
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
DFN9(3x3) |
7350 |
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INTERSI |
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INTERSIL |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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DFN-9-EP(3x3) |
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