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MBR12030CT

SCHOTTKYDIODESMODULETYPE120A

Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

MBR12030CT

SiliconPowerSchottkyDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR12030CT

SiliconSchottkyDiode,120A

Features •GuardRingProtection •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •Upto100VVRRM

NAINA

Naina Semiconductor ltd.

MBR12030CT

HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MBR12030CT

SiliconPowerSchottkyDiode

Features •HighSurgeCapability •Typesfrom20Vto40VVRRM •NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR12030CTR

HIGHPOWER-SCHOTTKYRECTIFIERS

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

MBR12030CTR

SCHOTTKYDIODESMODULETYPE120A

Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

MBR12030CTR

SiliconPowerSchottkyDiode

Features •HighSurgeCapability •Typesfrom20Vto40VVRRM •NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR12030CTR

SiliconPowerSchottkyDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

MBR12030R

SCHOTTKYDIODESMODULETYPE120A

Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM

TELTokyo Electron Ltd.

东电电子东京电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    ISL12030IBZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 实时时钟

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    时钟/日历

  • 特性:

    警报器,夏令时,SRAM

  • 存储容量:

    128B

  • 时间格式:

    HH:MM:SS:hh(12/24 小时)

  • 日期格式:

    YY-MM-DD-dd

  • 接口:

    I²C,2 线串口

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 5.5V

  • 电流 - 计时(最大值):

    18µA @ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Intersil
23+
8-SOIC
6672
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INTERSIL
23+
8-SOIC
65480
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Intersil
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8-SOIC
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8-SOIC
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原装现货
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更多ISL12030IBZ-T供应商 更新时间2025-7-26 15:45:00