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ISC023N03LF2S中文资料StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V,采用 SuperSO8 5x6 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

ISC023N03LF2S

功能描述

StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V,采用 SuperSO8 5x6 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 20:00:00

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ISC023N03LF2S规格书详情

描述 Description

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V 技术采用 SuperSO8 5x6 封装,具有一流的 2.3 mOhm RDS(on)。该产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比,ISC023N03LF2S 实现了高达 40% 的 RDS(on) 改善,同时实现了高达 60% 的 FOM 增强和出色的稳健性。

特性 Features

• 通用产品

• 出色的稳健性

• 卓越的性价比

• 分销商处广泛供应

• 标准封装和引脚分配

• 高制造和供应标准

应用 Application

• 消费类电子产品

技术参数

  • 制造商编号

    :ISC023N03LF2S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • QG(typ @4.5V)

    :16 nC

  • QG(typ @10V)

    :33 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :2.3 mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :3.9 mΩ

  • VDSmax

    :30 V

  • VGS(th)

    :1.85 V

  • Package

    :SuperSO8 5x6

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Polarity

    :N

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