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ISB3043

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= 6A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for audio and general purpose applications.

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ISC

无锡固电

KMOC3043

High Reliability Photocoupler

文件:377.67 Kbytes 页数:2 Pages

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冠西电子

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KMOC3043

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更多ISB3043供应商 更新时间2026-1-18 14:03:00