丝印：2228C03L；Package：PG-DSO-8；MOSFET OptiMOS™ 3 Power‑Transistors, 30 V

Features • Complementary N‑ and P‑channel • Very low on‑resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

文件：1.16031 Mbytes 页数：18 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS ™双 N+P 通道功率 MOSFET 30 V，采用 SO-8 封装

OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 30 V in SO-8 package • Best price/performance\n• RDS(on)max and FOMQgoptimization\n• Standardization of packages: SO8\n• Ease of use (LL target)\n• Competitve pricing\n• Small outline package\n\n优势:\n• Right fir products, flexible use\n• High efficiency\n• Convenient selection & purchasing\n• Ease of design\n• Reduced s;

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森霸
TO-46

森霸

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SAMTEC/砷泰
汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

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ISD |
DIP28 |

ISD |

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