丝印：1723C04L；Package：PG-DSO-8；MOSFET OptiMOS™ 3 Power‑Transistors, 40 V

Features • Complementary N‑ and P‑channel • Very low on‑resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

文件：1.15698 Mbytes 页数：18 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS ™双 N+P 通道功率 MOSFET 40 V，采用 SO-8 封装

OptiMOS™ Dual N+P channel power MOSFET 40 V in SO-8 package • Best price/performance\n• Standardization of packages: SO8\n• Ease of use (LL target)\n• Competitve pricing\n• Small outline package\n\n优势:\n• Right fir products, flexible use\n• High efficiency\n• Convenient selection & purchasing\n• Ease of design\n• Reduced system costs\n• PCB footprint reducti;

Infineon

英飞凌

TO-46

森霸

上传：深圳市赛尔通科技有限公司

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

上传：天津市博通航睿技术有限公司

DIP28 |

ISD |

上传：深圳市卓越微芯电子有限公司