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|---|---|---|---|---|
IS65WV25616ECLL-45CTLA3 | 256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C TTL compatible interface levels Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB 文件:754.78 Kbytes 页数:18 Pages | ISSI 矽成半导体 | ISSI | |
IS65WV25616ECLL-45CTLA3 | Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | |
Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | ||
TFBGA-48(6x8) | ISSI(美国芯成) 上传:深圳市宇创芯科技有限公司 | ISSI(美国芯成) | ||
TFBGA-48(6x8) | ISSI(美国芯成) 上传:深圳市宇创芯科技有限公司 | ISSI(美国芯成) |
产品属性
- 产品编号:
IS65WV25616ECLL-45CTLA3
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
4Mb(256K x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
45ns
- 电压 - 供电:
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
44-TSOP II
- 描述:
IC SRAM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI Integrated Silicon Solut |
25+ |
44-TSOP(0.400 10.16mm 宽) |
9350 |
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询价 | ||
ISSI, |
25+ |
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