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IS65WV25616EBLL-45CTLA1

256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 35ns, 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 22 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 3.7uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EB

文件:754.78 Kbytes 页数:18 Pages

ISSI

矽成半导体

IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS66WV51216EBLL-70BLI-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS66WVH16M8BLL-100B1LI

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IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

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ISSI(美国芯成)

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更多IS65WV25616EBLL-45CTLA1供应商 更新时间2025-11-17 13:01:00