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IS65WV25616DBLL-55CTLA3集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS65WV25616DBLL-55CTLA3 |
| 参数属性 | IS65WV25616DBLL-55CTLA3 封装/外壳为44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM |
| 文件大小 |
414.96 Kbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-26 19:01:00 |
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IS65WV25616DBLL-55CTLA3规格书详情
IS65WV25616DBLL-55CTLA3属于集成电路（IC） > 存储器。北京矽成半导体有限公司制造生产的IS65WV25616DBLL-55CTLA3存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
IS65WV25616DBLL-55CTLA3
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
4Mb（256K x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
55ns
- 电压 - 供电：
2.3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
44-TSOP II
- 描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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TSOP |
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