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IS65WV25616BLL-55BA1

256K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC SRAM

FEATURES • High-speed access time: 55ns, 70ns • CMOS low power operation 36 mW (typical) operating 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply 1.65V--2.2V Vdd (65WV25616ALL) 2.5V--3.6V Vdd (65WV25616BLL) • Fully static operation: no clock or refresh

文件:456.94 Kbytes 页数:15 Pages

ISSI

矽成半导体

IS66WV1M16EBLL-70BLI-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS66WV51216EBLL-70BLI-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS66WVH16M8BLL-100B1LI

TFBGA-24(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR

TFBGA-24(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS65WV25616BLL-55BA1供应商 更新时间2025-11-25 16:31:00