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IS64WV5128EFALL-12BA3	文件：801.73 Kbytes Page：20 Pages	512Kx8 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 8ns, 10ns, 12ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD(IS61/64WV5128EFALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV5128EFBLL)  Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin ind 文件：801.73 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS64WV5128EFALL-12BA3供应商更新时间2025-11-25 11:34:00