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IS64WV5128EDBLL-10BA1

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

文件:446.55 Kbytes 页数:14 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10BA3

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10BLA1

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10BLA3

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10CTA1

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10CTA3

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10CTLA1

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10CTLA3

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10KLA1

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

IS64WV5128EDBLL-10KLA3

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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ISSI

矽成半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IS64WV5128EDBLL-10CTLA3

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
24+
SMD
15600
静态随机存取存储器4M
询价
ISSI, Integrated Silicon Solut
24+
44-TSOP II
56200
一级代理/放心采购
询价
ISSI
1931+
N/A
493
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物
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ISSI
25+
TSOP-44
135
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
ISSI
21+
TSOP
10000
原装现货假一罚十
询价
ISSI
23+
TSOP
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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ISSI
TSOP
53650
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
44-TSOP II
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
ISSI Integrated Silicon Solut
25+
44-TSOP(0.400 10.16mm 宽)
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
ISSI
25+
电联咨询
7800
公司现货,提供拆样技术支持
询价
更多IS64WV5128EDBLL-1供应商 更新时间2025-11-3 15:27:00