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IS64WV51216EEBLL-10BA3	文件：871.04 Kbytes Page：20 Pages	512Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61WV51216EEALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV51216EEBLL)  Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin ind 文件：871.04 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS64WV51216EEBLL-10BA3供应商更新时间2025-11-24 15:01:00